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申请/专利权人：泉州师范学院
申请日：2024-12-26
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119355962A
专利技术分类：
专利摘要：本发明属于磁化斑阵列定制技术领域，尤其涉及一种诱导同一磁化斑任意朝向直线阵列的方法。本发明利用任意朝向磁流线源天线的辐射场叠加一阶螺旋位相因子来逆向推导入瞳场，以实现构建纯横向圆偏振光焦斑沿规定空间朝向排列的直线阵列，此光焦斑阵列的数量、位置、间距等均可调控，且焦斑为近衍射极限大小；基于逆法拉第效应，所构建的新颖光焦斑阵列，可诱导出超衍射极限磁化斑沿规定空间朝向排列的直线阵列，且磁化斑的数量、位置和间距同样均可灵活调控；本发明所提出的方法无需复杂的优化过程即可获得入瞳矢量光场的解析表达式，所构建的新颖磁化斑阵列在磁光存储技术、并行原子捕获、共聚焦核磁共振显微镜等方面具有广泛的应用潜力。
专利权项：1.一种诱导同一磁化斑任意朝向直线阵列的方法，其特征在于，所述方法包括：由两个具有共焦区的物镜建立紧聚焦系统；在所述紧聚焦系统的共焦区放置磁流线源天线；其中，磁流线源天线的载波磁流在其长度范围内相位分布均匀同相，幅度分布为周期N的余弦平方渐削分布；计算磁流线源天线的辐射场，并在此基础上叠加相同空间朝向的螺旋位相因子后辐射场往紧聚焦系统外侧辐射，经两个相同的高数值孔径物镜准直后往紧聚焦系统外侧传播，并根据透镜对辐射光线的弯折效应以求得物镜入瞳面处的辐射场；通过时间反演技术逆转此时物镜入瞳面处的辐射场，反向传播，并向两物镜共焦区原点处聚焦，以在共焦区形成相对磁流线源天线空间朝向而言纯横向圆偏振光焦斑沿规定空间朝向排列的直线阵列光焦场；其中，紧聚焦系统两侧入瞳面的入射场相位相差180度；基于逆法拉第效应，在两物镜共焦区放置磁光材料，纯横向圆偏振光焦斑沿规定空间朝向排列的直线阵列光焦场能在其中诱导出超衍射极限磁化斑沿规定空间朝向排列的直线阵列光致磁化场。
百度查询： 泉州师范学院 一种诱导同一磁化斑任意朝向直线阵列的方法
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