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申请/专利权人：苏州镁伽科技有限公司
申请日：2024-12-26
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119356046A
专利技术分类：.曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B27/00）[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种套刻测量方法及相关设备，涉及光刻技术领域。本申请响应于对待测硅片中待测套刻标记的测量请求，基于预先建立的待测硅片对应的目标函数，确定待测套刻标记所处测量位置对应的目标高度值，其中，目标函数是基于对待测硅片中多个测量点的测量位置，以及每个测量位置对应的高度值进行数据拟合得到的函数，用于表征待测硅片中每个测量点的测量位置与高度值之间的函数关系。依据目标高度值和测量位置，控制成像物镜移动至目标高度值对应的目标聚焦位置，对待测套刻标记进行套刻测量。本申请依据每个套刻标记的高度进行自适应调焦，使每个待测套刻标记均能以对应的最佳焦距进行成像，提高成像效果，提高套刻测量的准确性。
专利权项：1.一种套刻测量方法，其特征在于，包括：响应于对待测硅片中待测套刻标记的测量请求，确定所述待测套刻标记的测量位置；将所述测量位置输入到预先建立的所述待测硅片对应的目标函数，确定所述测量位置对应的目标高度值，其中，所述目标函数是对所述待测硅片中的多个测量点的测量位置，以及每个所述测量位置对应的高度值进行数据拟合得到的函数，用于表征所述待测硅片中的每个所述测量点的所述测量位置与所述高度值之间的对应关系，所述高度值为所述测量点与位于预设高度的成像物镜之间的高度差值；依据所述目标高度值和所述测量位置，控制所述成像物镜移动至所述目标高度值对应的目标聚焦位置，对所述待测套刻标记进行套刻测量。
百度查询： 苏州镁伽科技有限公司 一种套刻测量方法及相关设备
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