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申请/专利权人：咸亨国际(杭州)电气制造有限公司;咸亨电气技术(杭州)有限公司;咸亨国际科技股份有限公司

申请日：2024-12-26

公开（公告）日：2025-01-24

公开（公告）号：CN119364210A

专利技术分类：...用于不均匀性检测或校正[2023.01]

专利摘要：本说明书实施例公开了一种MEMS阵列传感器的非均匀性校正方法及系统，实时对校正输出数据进行校正效果分析，并通过多种方式对校正效果不符合条件的校正输出数据进行二次修正，实现实时修正，以保证非均匀性校正的效果，并且在二次修正后的校正输出数据仍不满足要求时中断工作重新测试得到新的校正数据，以新的校正数据对MEMS阵列传感器内部存储的校正数据进行更新，从而有效消除MEMS阵列传感器的外部干扰因素对非均匀性校正的校正效果的影响。

专利权项：1.一种MEMS阵列传感器的非均匀性校正方法，所述MEMS阵列传感器包括多个呈阵列排布传感器阵元，其特征在于，所述校正方法包括：获取初始校正数据、修正模型，并将初始校正数据作为当前校正数据；获取MEMS阵列传感器在工作环境中采集得到的阵列数据，并基于当前校正数据校正阵列数据，以得到包括每一传感器阵元各自对应的校正阵元值的校正输出数据；基于校正输出数据获取MEMS阵列传感器中的第一坏点阵元数量以及坏点阵元分布情况；基于第一坏点阵元数量、坏点阵元分布情况选择通过均值近似法或修正模型获取修正后校正输出数据，其中，所述均值近似法根据坏点阵元周围多个传感器阵元的校正阵元值的均值修正坏点阵元的校正阵元值，所述修正模型根据MEMS阵列传感器的外部干扰因素输出修正后校正数据对阵列数据进行二次校正；基于修正后校正输出数据获取第二坏点阵元数量；当第二坏点阵元数量小于第一预设值时，输出修正后校正输出数据，并返回所述获取MEMS阵列传感器在工作环境中采集得到的阵列数据，并基于当前校正数据校正阵列数据，以得到包括每一传感器阵元各自对应的校正阵元值的校正输出数据的步骤；当第二坏点阵元数量大于或等于第一预设值时，获取MEMS阵列传感器在测试环境中采集得到的测试阵列数据，基于测试阵列数据获取测算校正数据，并将测算校正数据作为新的当前校正数据返回所述获取MEMS阵列传感器在工作环境中采集得到的阵列数据，并基于当前校正数据校正阵列数据，以得到包括每一传感器阵元各自对应的校正阵元值的校正输出数据的步骤。

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