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申请/专利权人：中能创光电科技(常州)有限公司
申请日：2024-12-31
公开（公告）日：2025-01-28
公开（公告）号：CN119384111A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种柔性硅片及其制备方法、采用该柔性硅片制备的柔性太阳电池。柔性硅片的制备方法，包括：采用抛光溶液，对硅片正面、背面进行抛光；采用ALD法或PECVD法在硅片的背面区域沉积厚介质膜，并在硅片的侧面区域和正面边缘区域绕镀厚介质膜，在硅片正面边缘区域的厚介质膜和中间的非掩膜区之间的过渡区域形成薄介质膜；采用碱性溶液对硅片中间区域和薄介质膜覆盖的过渡区进行制绒，然后采用含HF的酸性溶液去除其他区域的厚介质膜，并对硅片进行清洗。上述方法可以提高硅片的抗弯强度，改善HJT电池的柔韧性，拓展薄型HJT电池的应用范围。
专利权项：1.一种柔性硅片，其特征在于，所述柔性硅片的正面包括三个部分：中间区域、自所述中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度的过渡区域、及除所述中间区域和所述过渡区域剩余的正面边缘区域，其中：所述硅片正面的中间区域和所述过渡区域具有金字塔绒面，且所述中间区域的金字塔尺寸大于所述过渡区域的金字塔尺寸，所述正面边缘区域为抛光面。
百度查询： 中能创光电科技(常州)有限公司 柔性硅片及其制备方法、采用该柔性硅片制备的柔性太阳电池
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