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申请/专利权人：湖南工程学院;湖南科鑫泰电子科技有限公司
申请日：2024-12-31
公开（公告）日：2025-02-07
公开（公告）号：CN119392379A
专利技术分类：.热处理（C30B33/04、C30B33/06优先）[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种钽酸锂晶片电导率的黑化处理工艺，属于晶体材料技术领域，所述的钽酸锂晶片电导率的黑化处理工艺，包括以下步骤：将复合还原剂平铺于坩埚底部，形成底部还原剂层，将钽酸锂晶片放在底部还原剂层上方，再将复合还原剂平铺于钽酸锂晶片上方，形成顶部还原剂层；通入氮气进行热处理，取出，得到黑化处理的钽酸锂晶片；所述复合还原剂包括质量比为1：（0.1~0.2）：（0.5~2）的球形铜粉、改性石墨烯和片状铜粉。一种钽酸锂晶片电导率的黑化处理工艺，本发明所述的黑化处理工艺能够显著的降低钽酸锂晶片的电阻率，提高钽酸锂晶片的电导率，具有广泛的应用前景。
专利权项：1.一种提升钽酸锂晶片电导率的黑化处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：将复合还原剂平铺于坩埚底部，形成底部还原剂层，将钽酸锂晶片放在底部还原剂层上方，再将复合还原剂平铺于钽酸锂晶片上方，形成顶部还原剂层；通入氮气进行热处理，取出，得到黑化处理的钽酸锂晶片；所述复合还原剂包括质量比为1：（0.1~0.2）：（0.5~2）的球形铜粉、改性石墨烯和片状铜粉。
百度查询： 湖南工程学院 湖南科鑫泰电子科技有限公司 一种提升钽酸锂晶片电导率的黑化处理工艺
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