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申请/专利权人：三一硅能(朔州)有限公司
申请日：2024-11-28
公开（公告）日：2025-02-11
公开（公告）号：CN119411216A
专利技术分类：.控制或调节（一般的控制或调节入G05）[2006.01]
专利摘要：本发明涉及单晶硅生产技术领域，尤其涉及一种单晶收尾工艺。所述单晶收尾工艺采用直拉法拉制单晶硅棒至收尾工序，包括以下步骤：S1：控制晶升为第一提拉速度，晶转为晶体第一旋转速度；停止坩升，控制埚转为坩埚第一旋转速度；S2：控制晶升为第二提拉速度，晶转为晶体第二旋转速度；控制埚转为坩埚第一旋转速度；S3：控制晶升为第三提拉速度，晶转为晶体第三旋转速度；控制埚转为坩埚第一旋转速度；其中，第一提拉速度小于所述第三提拉速度，第二提拉速度小于第一提拉速度；晶体第一旋转速度大于晶体第二旋转速度，晶体第二旋转速度大于晶体第三旋转速度。本发明通过优化收尾工艺参数，能够显著优化收尾形状，大大提高了收尾成活率。
专利权项：1.一种单晶收尾工艺，其特征在于，采用直拉法拉制单晶硅棒至收尾工序，所述收尾工艺包括以下步骤：S1：收尾前期：控制晶升为第一提拉速度，晶转为晶体第一旋转速度；停止坩升，控制埚转为坩埚第一旋转速度；S2：收尾中期：控制晶升为第二提拉速度，晶转为晶体第二旋转速度；控制埚转为坩埚第一旋转速度；S3：收尾后期：控制晶升为第三提拉速度，晶转为晶体第三旋转速度；控制埚转为坩埚第一旋转速度；其中，所述第一提拉速度小于所述第三提拉速度，所述第二提拉速度小于所述第一提拉速度；所述晶体第一旋转速度大于所述晶体第二旋转速度，所述晶体第二旋转速度大于晶体第三旋转速度。
百度查询： 三一硅能(朔州)有限公司 单晶收尾工艺
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