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申请/专利权人：潍坊歌尔电子有限公司
申请日：2024-10-23
公开（公告）日：2025-02-21
公开（公告）号：CN119491186A
专利技术分类：.待镀材料的预处理（C23C14/04优先）[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种掩膜版的制备方法及掩膜版，涉及掩膜技术领域，其中，掩膜版的制备方法包括以下步骤：提供硅基衬底；在蒸镀开口区域之外的硅基衬底的第一表面形成多个凸起微结构；在硅基衬底上形成覆盖凸起微结构的金属掩膜；对硅基衬底进行刻蚀，以在硅基衬底预设的蒸镀开口区域形成蒸镀开口。本发明通过凸起微结构提高金属掩膜与硅基衬底之间的接触面积，一方面可以提供更多的接触点，增加金属掩膜与硅基衬底之间的物理吸引力的总量，从而提高附着力，另一方面使得二者接触面的应力可以在凸起微结构之间得到分散，降低了局部的应力集中，从而避免金属掩膜从硅基衬底上脱落，提高金属掩膜与硅基衬底之间的粘合力和附着力。
专利权项：1.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硅基衬底；其中，所述硅基衬底预设有多个蒸镀开口区域；在所述蒸镀开口区域之外的所述硅基衬底的第一表面形成多个凸起微结构；在所述硅基衬底上形成覆盖所述凸起微结构的金属掩膜；对所述硅基衬底进行刻蚀，以在所述硅基衬底预设的所述蒸镀开口区域形成蒸镀开口。
百度查询： 潍坊歌尔电子有限公司 掩膜版的制备方法及掩膜版
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