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申请/专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司

申请日：2022-11-07

公开（公告）日：2025-02-21

公开（公告）号：CN115747754B

专利技术分类：.局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的[2006.01]

专利摘要：本发明实施例公开了一种利用静电纺丝制备图形化衬底的方法及图形化衬底。该利用静电纺丝制备图形化衬底的方法包括：采用静电纺丝工艺在基底上形成静电纺丝框架，静电纺丝框架包括多条丝状结构，相邻丝状结构之间存在间隙；以静电纺丝框架作为掩膜，在相邻丝状结构之间的间隙中形成图形微结构或掩膜图形；去除静电纺丝框架，保留基底上的图形微结构，形成图形化复合衬底，或者，保留基底上的掩膜图形，再以掩膜图形作为掩膜在基底上形成图形微结构，形成图形化衬底。本发明实施例解决了传统方法不能保证图形化衬底的质量，较难实现纳米级别的图形化衬底的问题，实现了低成本高精度的加工效益。

专利权项：1.一种利用静电纺丝制备图形化衬底的方法，其特征在于，包括：采用静电纺丝工艺在基底上形成静电纺丝框架，所述静电纺丝框架包括多条丝状结构，相邻所述丝状结构之间存在间隙；以所述静电纺丝框架作为掩膜，在相邻所述丝状结构之间的间隙中形成图形微结构或掩膜图形；去除所述静电纺丝框架，保留所述基底上的所述图形微结构，形成图形化复合衬底，或者，保留所述基底上的所述掩膜图形，再以所述掩膜图形作为掩膜在所述基底上形成图形微结构，形成图形化衬底；其中，以所述静电纺丝框架作为掩膜，在所述基底上形成异质层，所述异质层包括位于相邻所述丝状结构之间的异质图形微结构；其中，采用静电纺丝工艺在所述基底上形成相邻所述丝状结构之间的间隙为0.5～3μm的静电纺丝框架；以所述静电纺丝框架作为掩膜，在所述基底上形成异质层，包括：以所述静电纺丝框架作为掩膜，在相邻所述丝状结构之间形成中空的异质图形微结构，进而提高图形化衬底的光折射率，增加光提取效益；采用静电纺丝工艺在基底上形成静电纺丝框架，包括：采用静电纺丝工艺，在所述基底上形成多个依次层叠的所述静电纺丝框架，形成目标静电纺丝框架，所述目标静电纺丝框架与目标图形微结构形状互补；所述静电纺丝框架在保持周期相同的条件下，逐步减小静电纺丝的直径，通过多次叠加形成梯形的静电纺丝架构，该梯形静电纺丝架构与形成的倒梯形图形微结构形状互补；其中，所述利用静电纺丝制备图形化衬底的方法中使用的所述基底是蓝宝石基底。

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