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龙图腾网恭喜现代摩比斯株式会社申请的专利功率半导体器件和功率半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113745322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110526485.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权功率半导体器件和功率半导体芯片是由李珠焕设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件和功率半导体芯片在说明书摘要公布了：本申请提供了功率半导体器件和功率半导体芯片。该功率半导体器件包括：半导体层；梯形沟槽，从半导体层的表面向半导体层内凹陷特定深度，并且该沟槽包括具有第一深度的一对线和连接在该对线之间且具有比第一深度浅的第二深度的多个连接件；阱区，被限定在该半导体层中、在该对线之间并且在沟槽的多个连接件之间；浮动区，被限定在该半导体层中、在沟槽的该对线的外部；栅极绝缘层，布置在沟槽的内壁上；以及栅极电极层，布置在栅极绝缘层上以填充沟槽，并且栅极电极层包括填充该对线的第一部分和填充多个连接件的第二部分。栅极电极层的第二部分的深度比栅极电极层的第一部分的深度浅。

本发明授权功率半导体器件和功率半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括：半导体层；梯形沟槽，所述沟槽从所述半导体层的表面向所述半导体层内凹陷特定深度，并且所述沟槽包括具有第一深度的一对线和连接在所述一对线之间且具有比所述第一深度浅的第二深度的多个连接件；阱区，被限定在所述半导体层中、在所述一对线之间并且在所述沟槽的所述多个连接件之间；浮动区，被限定在所述半导体层中、在所述沟槽的所述一对线的外部；栅极绝缘层，布置在所述沟槽的内壁上；以及栅极电极层，布置在所述栅极绝缘层上以填充所述沟槽，并且所述栅极电极层包括填充所述一对线的第一部分和填充所述多个连接件的第二部分，其中，所述栅极电极层的所述第二部分的深度比所述栅极电极层的所述第一部分的深度浅，并且其中，所述浮动区在所述一对线的下方延伸以包围所述栅极电极层的所述第一部分的底表面，并且其中，所述栅极电极层的所述第二部分的底表面相对于所述浮动区露出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人现代摩比斯株式会社，其通讯地址为：韩国首尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。