买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜苏州大学申请的专利一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113049542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110491003.X，技术领域涉及：G01N21/45；该发明授权一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器及其制备方法是由吴绍龙;王杰;李刘晶;秦琳玲;张程;李孝峰设计研发完成，并于2021-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属光学传感技术领域，提出一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。

本发明授权一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器，所述的硅基为杂化结构，其特征在于：沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；其中有序硅纳米线阵列由非实心的纳米线周期性排列而成，且每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔，且纳米孔的最大直径小于纳米线的直径和最小间距；平面硅基底为实心结构，处于无序多孔硅层下方；所述的有序硅纳米线阵列层中纳米线之间的间隔、无序多孔硅层中纳米孔的直径依据目标分子和干扰分子的尺寸来设计和制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州大学，其通讯地址为：215137 江苏省苏州市相城区济学路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。