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龙图腾网恭喜莫诺利斯半导体有限公司申请的专利高压半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110162766.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权高压半导体器件及其制造方法是由K·马托查;K·查蒂;S·班纳吉设计研发完成，并于2016-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了多单元MOSFET器件，其包括具有集成的肖特基二极管的MOSFET单元。MOSFET包括在p‑型阱区域中形成的n‑型源极区域，p‑型阱区域在n‑型漂移层中形成。在MOSFET的外围形成p‑型体接触区域。器件的源极金属化形成与n‑型半导体区域接触的肖特基接触，n‑型半导体区域与器件的p‑型体接触区域相邻。可以形成通过覆盖器件的源极欧姆接触和或肖特基区域的电介质材料的通孔，并且在通孔中可以形成源极金属化。形成肖特基接触和或n‑型源极区域的n‑型半导体区域可以是单个连续的区域或与不连续的p‑型体接触区域交替的多个不连续的区域。器件可以是SiC器件。还提供了制造该器件的方法。

本发明授权高压半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多单元MOSFET器件，包括：n-型衬底上的n-型漂移层；多个MOSFET单元，每个MOSFET单元包括：在所述n-型漂移层上具有间隔关系的第一p-型阱区域和第二p-型阱区域；在所述n-型漂移层上的n-型JFET区域，所述n-型JFET区域在所述第一p-型阱区域和第二p-型阱区域之间，其中所述第一p-型阱区域和第二p-型阱区域中的每一个都具有与所述JFET区域相邻的通道区域；在所述第一p-型阱区域和第二p-型阱区域中的每一个上的第一n-型源极区域和第二n-型源极区域，所述第一n-型源极区域和第二n-型源极区域与所述JFET区域相对地邻近所述通道区域，其中所述第一n-型源极区域和第二n-型源极区域具有比所述n-型漂移层更高的掺杂剂浓度；在所述第一n-型源极区域和第二n-型源极区域中的每一个上的源极欧姆接触；在所述JFET区域和通道区域上的栅极电介质层；在所述栅极电介质层上的栅极层；在所述栅极层上的层间电介质层；和在所述n-型漂移层上的第一p-型体接触区域和第二p-型体接触区域，所述第一p-型体接触区域和第二p-型体接触区域与所述通道区域相对地邻近所述第一n-型源极区域和第二n-型源极区域，其中所述第一p-型体接触区域和第二p-型体接触区域具有比所述第一p-型阱区域和第二p-型阱区域更高的掺杂剂浓度；在所述n-型漂移层上的一个或多个n-型肖特基区域，所述n-型肖特基区域与一个或多个MOSFET单元相邻；在所述源极欧姆接触以及所述一个或多个n-型肖特基区域上并与所述源极欧姆接触以及所述一个或多个n-型肖特基区域接触的源极金属层；和在所述源极欧姆接触和一个或多个n-型肖特基区域上的电介质材料，所述器件还包括：形成为穿过所述源极欧姆接触上的电介质材料的一个或多个源极通孔；和形成为穿过所述一个或多个n-型肖特基区域上的电介质材料的一个或多个肖特基通孔；其中所述源极金属层在所述电介质材料上并在所述源极通孔和肖特基通孔中，并且其中所述源极金属层在所述肖特基通孔的底部接触肖特基区域以及在所述源极通孔的底部接触源极欧姆接触，其中，所述一个或多个n-型肖特基区域中的每一个与相邻单元的p-型体接触区域相邻并处于所述相邻单元的p-型体接触区域之间；以及其中，所述栅极层在器件平面中的JFET区域和相邻通道区域上延伸。

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