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龙图腾网恭喜三星显示有限公司申请的专利有机发光二极管显示器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397555B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010811987.0，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权有机发光二极管显示器是由高京秀;朴俊龙;白炅旼;赵炫珉;崔大元设计研发完成，并于2020-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本有机发光二极管显示器在说明书摘要公布了：有机发光二极管显示器包括：基板；基板上的TFT；TFT上的平坦化层；平坦化层上的像素电极，其中像素电极包括包含透明的导电氧化物的上层和下层以及包括银的中间层；像素电极上的蚀刻停止层，其中像素电极的上表面被蚀刻停止层暴露；蚀刻停止层上的隔离物，其中像素电极的上表面被隔离物暴露；像素电极的上表面上的有机发射层，其中像素电极的上表面被蚀刻停止层和隔离物暴露；以及有机发射层和隔离物上的公共电极，其中蚀刻停止层覆盖像素电极的边缘和侧表面。

本发明授权有机发光二极管显示器在权利要求书中公布了：1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基板；设置在所述基板上的薄膜晶体管；设置在所述薄膜晶体管上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的像素电极，其中所述像素电极包括包含透明的导电氧化物的上层和下层以及包括银的中间层；设置在所述像素电极上的蚀刻停止层，其中所述像素电极的上表面被所述蚀刻停止层暴露；通过干法蚀刻得到并且设置在所述蚀刻停止层上的隔离物，其中所述像素电极的所述上表面被所述隔离物暴露；设置在所述像素电极的所述上表面被所述蚀刻停止层和所述隔离物暴露的区中的所述像素电极的所述上表面上的有机发射层；以及设置在所述有机发射层和所述隔离物上的公共电极，其中所述蚀刻停止层覆盖所述像素电极的边缘和侧表面，其中所述干法蚀刻中使用的干法蚀刻气体包括六氟化硫或三氟化氮，并且其中所述蚀刻停止层包括包含氧化铟锌IZO、氧化铟镓锌、ZrCl4、ZrBr4、HfCl4、HfBr4、HgCl2、HgBr2、Al2Cl6、Al2Br6、GaCl32、GaBr3、YBr2、FeBr6、Li、Na、Ka、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、La、Mn、Co、Rh、Ni、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、In、Ti或Bi的化合物。

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