恭喜北京大学贺明获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510020563.5，技术领域涉及：H10K30/65；该发明授权一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用是由贺明;郭欣蕊;许蕾;朱玉;刘硕;刘鋆灵;黄如设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。本发明包括底栅衬底，在底栅衬底上设有底栅介质层和位于底栅介质层上的异质突触结构，异质突触结构包括铋氧硒沟道层、亚硒酸氧铋势垒阻挡层和钙钛矿吸光层，铋氧硒沟道层两侧设有源、漏电极，其中钙钛矿吸光层与亚硒酸氧铋势垒阻挡层的价带能级差小于其导带能级差，使空穴的隧穿势垒小于电子的隧穿势垒，在可见光下钙钛矿中的光生空穴隧穿到铋氧硒沟道中，产生光信号的负响应。而在红外光下由于钙钛矿的吸光范围截至于800nm，光生载流子产生于窄带隙（0.8eV）的铋氧硒沟道中，增加沟道中的电子浓度，产生光信号的正响应。
本发明授权一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种原位自氧化光栅异质突触晶体管，其特征在于，包括底栅衬底，在底栅衬底上设有底栅介质层和位于底栅介质层上的异质突触结构，所述异质突触结构包括铋氧硒沟道层、亚硒酸氧铋势垒阻挡层和钙钛矿吸光层，在铋氧硒沟道层的两侧设有源、漏电极，其中所述钙钛矿吸光层与亚硒酸氧铋势垒阻挡层的价带的能级差小于其导带的能级差，亚硒酸氧铋为铋氧硒原位氧化得来，存在部分未氧化位点作为光栅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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