恭喜甬江实验室宓晓宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜甬江实验室申请的专利半导体结构及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411962427.X，技术领域涉及：H10N30/04；该发明授权半导体结构及其制备方法、电子设备是由宓晓宇;高桥岳雄设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。其中，半导体结构包括基板、第一电极层、压电层和第二电极层。第一电极层与第二电极层可用于与外部电源连接，从而使得本申请的半导体结构可通电。基板的第一侧的表面为凹凸结构，使得基板的第一侧表面具有凹陷和凸起结构，这样压电层内的结晶在基板的第一侧的表面生长时，结晶的部分位于凹凸结构的凹陷内，结晶的另一部分位于凹凸结构凸起上，位于凹陷结构内的结晶与位于凸起结构上的结晶可相互作用而变形，从而可提高结晶的介电性能，进而可提高本申请的半导体结构的介电性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括基板（100），具有相背的第一侧（110）与第二侧（120），所述第一侧（110）的表面为凹凸结构；所述第一侧（110）的表面具有多个凸起部（140）和多个凹陷槽（131），多个所述凸起部（140）设置于多个所述凹陷槽（131）内，多个所述凸起部（140）间隔分布于所述第一侧（110）的表面；第一电极层（200），叠置于所述第一侧（110）；压电层（300），叠置于所述第一电极层（200）背向所述基板（100）的一侧，所述压电层（300）内的部分结晶生长于所述凹陷槽（131）和所述凸起部（140）上；第二电极层（400），叠置于所述压电层（300）背向所述第一电极层（200）的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬江实验室，其通讯地址为：315201 浙江省宁波市镇海区骆驼街道慈海南路1792号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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