恭喜芯率智能科技(苏州)有限公司姚文全获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯率智能科技(苏州)有限公司申请的专利一种基于孔径补偿的封装系统及其补偿方法、系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119361437B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411939809.0,技术领域涉及:H01L21/56;该发明授权一种基于孔径补偿的封装系统及其补偿方法、系统是由姚文全;鲁成龙;蒋晓军设计研发完成,并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于孔径补偿的封装系统及其补偿方法、系统在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体领域,具体涉及一种基于孔径补偿的封装系统及其补偿方法、系统,封装系统包括:母片;设置其上的第一堆叠部,第一堆叠部包括多层第一晶粒层,其包括:沿母片的边缘布置的第一边缘区,以及沿母片的中心区布置的第一中心区,第一边缘区设置有至少一列第一边缘晶粒,第一中心区设置有第一中心晶粒,以及第一边缘区和第一中心区间隔地排列有多列第一间隔晶粒;第一边缘晶粒、间隔晶粒及中心晶粒的通孔尺寸D1、D2、D3满足规则:D1≥D2,D1>D3;本发明提出了一种基于边缘、间隔区域、中心区域三分类的有限分级,所实现的孔径差异化设置方案。该限制性差异设置方案通过局部的强度调节提升了半导体器件的整体良率。
本发明授权一种基于孔径补偿的封装系统及其补偿方法、系统在权利要求书中公布了:1.一种基于孔径补偿的封装系统,其特征在于,包括:母片(01),所述母片上间隔地设置有多个传输接口,所述传输接口用于与堆叠其上的晶粒的通孔电连接,且相邻两层所述晶粒之间通过所述通孔电连接;设置在所述母片上的第一堆叠部,其中,所述第一堆叠部包括:多层第一晶粒层,一层晶粒层包括:多个间隔分布的所述晶粒;且所述第一晶粒层包括:沿所述母片的边缘布置的第一边缘区,以及沿所述母片的中心区布置的第一中心区,其中,所述第一边缘区设置有至少一列第一边缘晶粒(021),所述第一中心区设置有至少一列第一中心晶粒(023),以及所述第一边缘区和所述第一中心区之间间隔地排列有多列第一间隔晶粒(022);所述第一边缘晶粒(021)、所述第一间隔晶粒(022)以及所述第一中心晶粒(023)的第一通孔尺寸D1、第二通孔尺寸D2、第三通孔尺寸D3满足第一补偿规则,且所述第一补偿规则包括:D1≥D2,D1>D3;设置在所述第一堆叠部上的第二堆叠部,其中,所述第二堆叠部包括:多层第二晶粒层,所述第二晶粒层包括:沿所述母片的边缘布置的第二边缘区,以及沿所述中心区布置的第二中心区,其中,所述第二边缘区设置有至少一列第二边缘晶粒(031),所述第二中心区设置有至少一列第二中心晶粒(033),以及所述第二边缘区和所述第二中心区之间间隔地排列有多列第二间隔晶粒(032);所述第二边缘晶粒、所述第二间隔晶粒以及所述第二中心晶粒的第四通孔尺寸D4、第五通孔尺寸D5、第六通孔尺寸D6满足第二补偿规则,且所述第二补偿规则包括:D4≥D5,D4>D6。
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