买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜无锡博通微电子技术有限公司申请的专利半桥GaN增强型开关器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118825014B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411280875.1，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权半桥GaN增强型开关器件及其制备方法是由冯开勇;王刚;杨光设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半桥GaN增强型开关器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半桥GaN增强型开关器件及其制备方法。该半桥GaN增强型开关器件包括半桥连接的两个开关元件；两个开关元件水平设置在同一衬底上，其中一开关元件的漏极与栅极分别单独电性引出，源极与另一开关元件的漏极连接并共同电性引出，另一开关元件的栅极和源极分别单独电性引出。该半桥GaN增强型开关器件导电机制为二维电子气，由栅极控制二维电子气的导通和关断，所以器件的栅电荷非常小，能保证器件的高速开关，器件整体呈现半桥连接特性，保证应用灵活性的同时，由于器件制备在同一衬底上，具备高集成度的特点，可以提高系统功率密度。

本发明授权半桥GaN增强型开关器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半桥GaN增强型开关器件，其特征在于，所述半桥GaN增强型开关器件包括：半桥连接的两个开关元件；两个所述开关元件水平设置在同一衬底上，其中一开关元件的漏极与栅极分别单独电性引出，源极与另一开关元件的漏极连接并共同电性引出，另一开关元件的栅极和源极分别单独电性引出；其中，所述开关元件包括：纵向自下而上的本征金刚石衬底、GaN缓冲层、n型沟道层、本征GaN层、AlGaN、绝缘介质以及栅极金属；所述开关元件还包括：底部与所述本征GaN层底部水平设置的漏极金属；所述开关元件还包括：底部与所述AlGaN底部水平设置的源极金属；所述AlGaN和所述本征GaN层通过二维电子气形成从源极金属到n型沟道层的导电通道；根据所述半桥GaN增强型开关器件的栅极导通电压将所述AlGaN中Al与GaN的比例设置在2:8-4:6之间；所述栅极金属在施加正电压达到所述栅极导通电压时，来自源极金属的电子由二维电子气传输至导电通道，沿着导电通道流动至所述n型沟道层，横向流动至所述漏极金属；所述本征GaN层包括：P型GaN和本征GaN；所述本征GaN的底部与所述n型沟道层的顶部以及所述P型GaN的底部平齐，所述本征GaN的顶部与所述AlGaN平齐；所述P型GaN与所述本征GaN形成从所述AlGaN至所述n型沟道层的导电通孔；所述本征GaN的厚度为所述P型GaN的两倍。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡博通微电子技术有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层802；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。