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龙图腾网恭喜睿晶半导体(宁波)有限公司申请的专利相移掩膜版及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118759794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411239685.5，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权相移掩膜版及其制作方法是由祁耀亮;李德建设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本相移掩膜版及其制作方法在说明书摘要公布了：一种相移掩膜版及其制作方法，制作方法，包括：提供透明基板，包括主图形区域和边缘区域，主图形区域包括正常图形区域和特殊图形区域；在主图形区域和边缘区域上形成相移层和遮光层；采用第一负胶工艺和第一刻蚀工艺对边缘区域和正常图形区域上的遮光层进行图形化，形成第一遮光图形；采用正胶工艺和第二刻蚀工艺对特殊图形区域上的遮光层进行图形化，形成第二遮光图形；刻蚀相移层，在边缘区域和正常图形区域的上表面形成第一相移图形，在特殊图形区域的上表面形成第二相移图形，第二相移图形的尺寸大于第一相移图形的尺寸；去除主图形区域上的第一遮光图形和第二遮光图形。防止与大块的第二相移图形邻近的图形尺寸过大以及防止黑凸缺陷产生。

本发明授权相移掩膜版及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种相移掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供透明基板，所述透明基板包括主图形区域和环绕所述主图形区域的边缘区域，所述主图形区域包括正常图形区域和特殊图形区域；在所述主图形区域和边缘区域的上表面依次形成相移层和位于所述相移层上表面的遮光层；采用第一负胶工艺和第一刻蚀工艺对所述边缘区域和正常图形区域上的遮光层进行图形化，在所述边缘区域和正常图形区域上的相移层的上表面形成若干分立的第一遮光图形；采用正胶工艺和第二刻蚀工艺对所述特殊图形区域上的遮光层进行图形化，在所述特殊图形区域上的相移层的上表面形成若干分立的第二遮光图形，所述第二遮光图形的尺寸大于所述第一遮光图形的尺寸；以所述第一遮光图形和第二遮光图形为掩膜刻蚀所述相移层，在所述边缘区域和正常图形区域的上表面形成若干分立的第一相移图形，在所述特殊图形区域的上表面形成若干分立的第二相移图形，所述第二相移图形的尺寸大于所述第一相移图形的尺寸；去除所述主图形区域上的所述第一遮光图形和第二遮光图形，露出所述第一相移图形和所述第二相移图形，保留所述边缘区域上的第一相移图形和第一遮光图形。

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