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龙图腾网恭喜安徽科技学院申请的专利一种硅基稀土掺杂发光材料的发光元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117253946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311461206.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种硅基稀土掺杂发光材料的发光元件及其制备方法是由何恩节;王坤;刘念设计研发完成，并于2023-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基稀土掺杂发光材料的发光元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于稀土掺杂发光材料领域，公开了一种硅基稀土掺杂发光材料的发光元件及其制备方法，该制备方法包括以下步骤S1.将硅源与碳源处理成粉末状并混合均匀，滴加黏结剂后成型，放置在处于真空环境下的电阻炉中进行加热反应，得到具有多孔的碳化硅基底；S2.将散射颗粒通过离子注入掺杂在S1所述的碳化硅基底中，在将其放置在高温管式扩散炉中进行退火，得到掺杂碳化硅基底；S3.将发光纳米颗粒通过沉积布置在S2所述掺杂碳化硅基底的孔中，并在表层沉积一层束缚层，得到硅基稀土掺杂发光元件。通过该方法制备的硅基稀土掺杂发光元件具有较高的光学效率与兼容性，且拥有较高的稳定性与低能耗性。

本发明授权一种硅基稀土掺杂发光材料的发光元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基稀土掺杂发光材料的发光元件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1.制备基底：将质量分比为1.5:1的硅源与碳源处理成粉末状并混合均匀，滴加黏结剂后成型，放置在处于真空环境下的电阻炉中进行加热反应，得到具有多孔的碳化硅基底；S2.基底掺杂：将散射颗粒通过离子注入掺杂在S1所述的碳化硅基底中，在将其放置在高温管式扩散炉中进行退火，得到掺杂碳化硅基底；S3.预处理：将2-5纳米颗粒粒径的发光纳米颗粒紧密沉积于所述掺杂碳化硅基底的表面上形成致密的特性层；S4.合成发光元件：将10-20纳米颗粒粒径的发光纳米颗粒通过沉积布置在S3所述预处理后的掺杂碳化硅基底的孔中，并在特性层表层沉积一层束缚层，得到硅基稀土掺杂发光元件；所述散射颗粒为硅酸铒、硅酸钆、硅酸铥和硅酸钕其中的一种；所述发光纳米颗粒为量子点、量子棒中的一种或多种，利用碳化硅进行包覆。

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