恭喜天津大学马雷获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利一种半导体石墨烯-准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117488410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311446569.6，技术领域涉及：H10D64/60；该发明授权一种半导体石墨烯-准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法是由马雷;李睿;张凯敏;田昊;赵健;李雅奇设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体石墨烯-准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳基器件技术领域，公开了一种半导体石墨烯‑准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法，先在SiC衬底表面制备半导体石墨烯；然后在半导体石墨烯的局部区域，通过氢插层、电子束直写、聚焦离子束、激光诱导或原子力显微镜针尖加热制备准悬浮石墨烯。上述半导体石墨烯和准悬浮石墨烯均为单层，且在平面上形成无缝搭接的连续整体；准悬浮石墨烯能够作为电极部分，半导体石墨烯能够作为沟道材料。本发明能够在绝缘衬底上直接生长单层单晶半导体石墨烯，其具有超大晶畴和超高室温高迁移率；并在此基础上通过多种手段直接得到准悬浮石墨烯‑半导体石墨烯全碳结构，以期待利用该结构制备优异性能的全碳器件及集成电路。
本发明授权一种半导体石墨烯-准悬浮石墨烯全碳结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体石墨烯-准悬浮石墨烯全碳结构，包括碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底的Si面制备有半导体石墨烯和准悬浮石墨烯；所述半导体石墨烯在碳化硅衬底的Si面直接生长而成；所述半导体石墨烯均匀生长，其晶畴宽度大于200微米，长度为亚厘米量级，室温迁移率至少达到4500cm2V·s；所述半导体石墨烯具有石墨烯晶格结构，且与SiC衬底部分成键，具有带隙；所述半导体石墨烯和所述准悬浮石墨烯均为单层，且在平面上形成无缝搭接的连续整体；所述准悬浮石墨烯能够作为电极部分，所述半导体石墨烯能够作为沟道材料。
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