买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西安邮电大学申请的专利Ga₂O₃-2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211053930.4，技术领域涉及：H10F30/227；该发明授权Ga₂O₃-2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法是由王湛;张尔奇;王欣媛;孙静;陈海峰;陆琴;贾一凡;刘祥泰;王少青;张霞设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本Ga₂O₃-2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及宽波段光电探测器件，具体涉及Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法，用于解决现有氧化镓材料光电探测器暗电流大、偏振灵敏度低、没有设计考量在深紫外偏振领域和宽波段探测范围应用的不足之处。该Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器包括氧化镓层、二维金属型材料层，其中氧化镓层与二维金属型材料层形成水平范德华肖特基异质结垂直范德华肖特基异质结；氧化镓层为β‑Ga2O3单晶薄膜β‑Ga2O3单晶体材料，由于Ga2O3带隙较宽，为深紫外发光材料，且二维金属型材料具有零带隙，因此本发明可以实现DUV‑MIR的宽波段探测。同时，本发明提供上述Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器的制备方法。

本发明授权Ga₂O₃-2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ga2O3-2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器，其特征在于：包括介质衬底1，以及设置在介质衬底1上且按行列矩阵方式排列的M个探测单元，M为大于等于1的整数；每个所述探测单元包括沿水平方向依次设置在介质衬底1顶面的氧化镓电极5、氧化镓层2、二维金属型材料层3和二维金属型材料电极6；所述二维金属型材料层3的顶面设置有石墨烯层4；所述氧化镓层2为β-Ga2O3单晶薄膜；所述二维金属型材料层3为单晶或多晶薄膜，采用半金属型1Td相二碲化钼或半金属型二碲化钨或金属型二硒化钯或金属型二硒化铂或金属型二硒化碲制备；所述氧化镓电极5的部分覆盖在氧化镓层2顶面，与氧化镓层2形成欧姆接触；所述二维金属型材料层3的部分覆盖在氧化镓层2顶面，且与氧化镓层2形成水平范德华肖特基异质结，二维金属型材料层3顶面被所述石墨烯层4全部覆盖，二维金属型材料层3侧壁、石墨烯层4侧壁与氧化镓电极5侧壁之间设置有空隙；所述二维金属型材料电极6的部分覆盖在石墨烯层4顶面，且与石墨烯层4、二维金属型材料层3形成欧姆接触；所述介质衬底1、氧化镓电极5、氧化镓层2、石墨烯层4和二维金属型材料电极6的顶面覆盖有介质钝化层9。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安邮电大学，其通讯地址为：710121 陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。