恭喜武汉新芯集成电路股份有限公司郭万里获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利键合装置及键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210459985.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权键合装置及键合方法是由郭万里;周云鹏设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本键合装置及键合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种键合装置及键合方法。所述键合装置包括具有空腔的键合头，所述空腔由键合头的底壁和侧壁围成，所述键合头的底壁用于吸附待键合的芯片，并将该芯片的下表面与一键合对象的上表面贴合，在进行贴合前，对所述空腔施加压力使所述键合头底壁变形，所述芯片的下表面的中间区朝向键合对象拱起，在进行贴合时，所述芯片的下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。所述键合方法在将芯片和键合对象贴合时，使所述芯片下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。相对于芯片下表面整体与键合对象直接接触，可以避免形成封闭气泡，降低键合面处出现空洞缺陷的概率，提升键合质量。
本发明授权键合装置及键合方法在权利要求书中公布了：1.一种键合装置，其特征在于，包括一具有空腔的键合头，所述空腔由所述键合头的底壁和侧壁围成，所述键合头的底壁用于吸附待键合的芯片，并将吸附着的芯片的下表面与一键合对象的上表面贴合，其中，在进行所述贴合前，对所述空腔施加压力使所述键合头底壁在压力的作用下变形，所述芯片的下表面的中间区朝向所述键合对象拱起，在进行所述贴合时，所述中间区先于所述芯片下表面的边缘区与所述键合对象的上表面接触，在贴合完成后，所述中间区与所述边缘区均与所述键合对象的上表面接触，所述键合头和所述芯片的下表面恢复为平面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉新芯集成电路股份有限公司，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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