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龙图腾网恭喜深圳京鲁计算科学应用研究院申请的专利单分子光电器件的电致发光光谱检测方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114462610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210153425.0，技术领域涉及：G06N10/00；该发明授权单分子光电器件的电致发光光谱检测方法及相关设备是由任志勇;武晓燕;李君设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本单分子光电器件的电致发光光谱检测方法及相关设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单分子光电器件的电致发光光谱检测方法、装置、设备及存储介质，单分子光电器件的电致发光光谱检测方法包括：对器件进行包含原子细节的结构建模；对原子模型进行电动力学分析，得到光子的第一非平衡格林函数；对器件的原子模型施加偏压，得到电子的第二非平衡格林函数；对原子模型引入光电相互作用，确定光电相互作用下光子的第三非平衡格林函数和电子的第四非平衡格林函数；利用戴森方程自洽求解，得到光子的第五非平衡格林函数和电子的第六非平衡格林函数，进而得到器件的电致发光光谱。本发明涉及纳米光子学领域，能够描述具有原子级精度的器件结构，且考虑单分子器件自身的光学性质，可得到精确的单分子器件的发光光谱。

本发明授权单分子光电器件的电致发光光谱检测方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种单分子光电器件的电致发光光谱检测方法，其特征在于，单分子器件包括第一电极、第二电极以及位于两电极之间的单分子发光单元，所述单分子光电器件的电致发光光谱检测方法包括：确定所述第一电极和第二电极的重复单元，得到电极区域结构，取至少一个所述重复单元，对器件中间区域进行结构优化，得到中间区域结构，基于所述电极区域结构和所述中间区域结构，构建原子模型，其中，所述器件中间区域为所述单分子发光单元所在区域，所述电极区域为所述第一电极和第二电极所在区域；对所述原子模型的光学性质进行电动力学分析，得到无光电相互作用下器件光子的第一非平衡格林函数；对所述原子模型施加偏压并进行所述电动力学分析，得到无光电相互作用下器件电子的第二非平衡格林函数，其中，所述施加的偏压不同，得到的所述电子的第二非平衡格林函数不同；对所述原子模型引入光电相互作用，确定光电相互作用下光子的第三非平衡格林函数和电子的第四非平衡格林函数；基于所述第一非平衡格林函数、第二非平衡格林函数、第三非平衡格林函数和第四非平衡格林函数，利用戴森方程自洽求解，得到光子的第五非平衡格林函数和电子的第六非平衡格林函数；基于所述光子的第五非平衡格林函数和电子的第六非平衡格林函数，得到器件的电致发光光谱。

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