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龙图腾网恭喜西安工业大学申请的专利一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210039010.0，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器及其制备方法是由坚佳莹;南亚新;董芃凡;龙伟;张曦;冯浩;坚增运设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有机g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器，它包括CVD单层TMDs薄膜以及覆盖在TMDs薄膜表面的g‑CNQDs，单层TMDs薄膜为二维材料，g‑CNQDs为零维材料，二者通过形成异质结，构建形成TMDsg‑CNQDs异质结构的光电探测器；本发明还提供了上述g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，依次通过清洗、掺杂和干燥步骤制备而成，制备方法简单，过程易于控制，环境友好且性能优异，g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器较未修饰之前不仅光谱响应范围得到了拓宽，光响应度也得到了较大的提升。

本发明授权一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于，该光电探测器包括CVD单层TMDs薄膜以及覆盖在TMDs薄膜表面的g-CNQDs，所述单层TMDs薄膜为二维材料，所述有机g-CNQDs为零维材料，二者通过形成异质结，构建形成TMDsg-CNQDs异质结构的光电探测器；所述有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，按照如下的步骤顺序依次进行：（1）清洗将CVD单层TMDs光电探测器固定在旋涂机上，向其表面滴加0.2~1mL异丙醇，于转速为800~1500rpm下旋涂5~10s，得A；（2）掺杂取g-CNQDs分散液滴加在A表面，充分润湿后，以800~1500rpm的转速旋涂30~60s，使g-CNQDs均匀分散在TMDs薄膜表面，得B；（3）干燥将B置于真空烘箱中，在低真空环境下干燥，得g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器。

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