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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210031297.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法是由顾昊元;蔡晨;李亮设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法，形成SBD区、元胞区以及第一、第二沟槽区；形成第一介质层并淀积多晶硅；对多晶硅进行光刻和回刻，去除SBD区、元胞区及第二沟槽区上段的多晶硅；淀积高密度等离子体氧化膜，去除SBD区、元胞区及第二沟槽区上段的高密度等离子体氧化膜，在SBD区、元胞区及第二沟槽区暴露的表面形成第一栅氧化层；去除SBD区中的第一栅氧化层；在SBD区形成第二栅氧化层；在SBD区、元胞区及第二沟槽区内形成第二多晶硅层；在元胞区与第一沟槽区之间的区域、第一、第二沟槽区之间的区域形成第一注入区和第二注入区；形成接触孔并填充金属。

本发明授权一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法在权利要求书中公布了：1.一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、在基底上形成多个沟槽，所述多个沟槽分别为SBD区、元胞区以及第一、第二沟槽区；步骤二、在所述多个沟槽的侧壁和底部形成第一介质层；步骤三、淀积多晶硅填充满所述多个沟槽；步骤四、对所述多个沟槽中的多晶硅进行光刻和回刻，其中刻蚀去除所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区中上段的多晶硅，剩余在所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区内的多晶硅形成第一多晶硅层；并保留所述第一沟槽区中全部的多晶硅；步骤五、淀积高密度等离子体氧化膜，以填充所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区中上段的部分，并且所述高密度等离子体氧化膜覆盖于所述基底上的所述多个沟槽上表面；步骤六、研磨所述基底上表面的所述高密度等离子体氧化膜，使所述高密度等离子体氧化膜高于所述多个沟槽上方3000埃为止；步骤七、对所述高密度等离子体氧化膜进行光刻和回刻，去除所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区上段的所述高密度等离子体氧化膜，所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区中剩余一部分高度的所述高密度等离子体氧化膜覆盖在所述第一多晶硅层上；步骤八、在所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区暴露的表面形成第一栅氧化层；步骤九、光刻和刻蚀去除所述SBD区中的所述第一栅氧化层；步骤十、在所述SBD区中被暴露的表面形成第二栅氧化层；步骤十一、在所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区内淀积多晶硅，形成第二多晶硅层；步骤十二、在所述元胞区与所述第一沟槽区之间的区域、所述第一、第二沟槽区之间的区域进行离子注入分别形成体区，所述体区为第一注入区；步骤十三、在所述体区进行离子注入形成第二注入区；步骤十四、在所述多个沟槽的上表面覆盖第二介质层；步骤十五、在所述SBD区与元胞区之间的区域、所述元胞区与所述第一沟槽区之间的所述第一注入区、所述第一沟槽区的所述多晶硅上、所述第二沟槽区的所述第二多晶硅层上分别形成接触孔；步骤十六、覆盖金属层以填充所述接触孔，并且刻蚀所述金属层以断开所述第一、第二沟槽接触孔上的所述金属层。

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