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龙图腾网恭喜广州万协通信息技术有限公司申请的专利一种高性能低功耗的eSIM卡芯片系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114490503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210010169.X，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种高性能低功耗的eSIM卡芯片系统是由何军设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能低功耗的eSIM卡芯片系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能低功耗的eSIM卡芯片系统，包括CPU、MMU存储器管理模块、eflash模块、ILM_RAM模块、DLM_RAM模块、PMU功耗控制模块、CLK时钟控制模块、AHB_DMA模块、UCAA运算模块、HASH运算模块、DMA直接存取模块、SM1运算模块、DES运算模块、SM4运算模块以及可配置的矢量中断控制器。优点是：系统比目前市场上的其他eSIM卡芯片，在相同CPU频率下，其Java卡执行效能更高，功耗控制的更低，能够更好地作为手机、POS机等移动设备支付应用通讯的载体。

本发明授权一种高性能低功耗的eSIM卡芯片系统在权利要求书中公布了：1.一种高性能低功耗的eSIM卡芯片系统，其特征在于：包括CPU、MMU存储器管理模块、eflash模块、ILM_RAM模块、DLM_RAM模块、PMU功耗控制模块、CLK时钟控制模块、AHB_DMA模块、UCAA运算模块、HASH运算模块、DMA直接存取模块、SM1运算模块、DES运算模块、SM4运算模块以及可配置的矢量中断控制器；所述CPU通过I_AHB总线与MMU存储器管理模块相连，所述MMU存储器管理模块经FLASH_Ctrl接口和RAM_CTRL接口分别与eflash模块以及ILM_RAM模块相连；所述CPU通过SYS_AHB总线与AHB_DMA模块、UCAA模块、HASH模块、DMA直接存取模块、SM1运算模块、DES运算模块以及SM4运算模块相连；所述AHB_DMA模块经FLASH_CTRL接口与eFLASH模块相连，所述AHB_DMA模块经RAM_CTRL接口与ILM_RAM模块以及DLM_RAM模块相连；所述SYS_AHB总线与AHB2APB控制线相连，所述AHB2APB控制线上连接有看门狗、计数器、循环冗余校验模块、纯数字真随机数发生器、可编程IO模块、IIC接口模块、SPI接口模块、UART接口模块、SWP接口模块和7816接口模块；所述MMU存储器管理模块经SFR总线与AHB2SFR控制线相连，所述CLK时钟控制模块和所述PMU功耗控制模块均连接在AHB2SFR控制线上；所述CLK时钟管理模块与OSC_HF时钟和OSC_LF时钟相连；所述CPU通过支持单个CPU时钟周期访问的紧耦合IP与可配置的矢量中断控制器相连；所述RAM_CTRL接口为SRAM的控制接口，用于控制SRAM的读写操作；所述FLASH_CTRL接口为FLASH的控制接口，用于控制FLASH的读写操作；所述OSC_HF时钟为源时钟或者经过分频后为系统提供正常工作时钟；所述OSC_LF时钟为唤醒CPU的唤醒时钟；针对由OPEN选定的应用，虚拟机对选定的Applet应用的process方法执行MMU存储器管理模块的Remap操作，即借助DMA直接存取模块，从该应用的process方法对应的Flash地址处将其对应的执行代码复制到ILM_RAM模块的空间上，让其对应的代码在RAM内存中执行，从而提高执行效率；所述Remap操作的具体过程为：将Flash中地址n1KB～n2KB的程序搬移到ILM_RAM模块中的n3KB～n4KB空间中；重映射源地址寄存器、重映射目的地址寄存器、重映射长度寄存器；重映射使能寄存器，启动加速机制；使能寄存器重映射后，访问Flash的n1KB～n2KB地址空间时，实际为访问SRAM的n3KB～n4KB空间；寄存器重映射配置完成后，DMA直接存取模块开始搬移工作，同时CPU运行Java虚拟机代码。

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