恭喜株式会社村田制作所山口阳平获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社村田制作所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080045558.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体装置是由山口阳平;芦峰智行设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置，能够抑制在覆盖介电膜的端部周边的保护层产生裂缝，并抑制由产生裂缝引起的介电膜的绝缘破坏强度的降低。半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；介电膜，配置于第一主面的一部分；第一电极层，配置于介电膜的一部分；以及保护层，从第一电极层的端部遍及上述介电膜的外周端连续地覆盖。介电膜具有：电极层配置部，配置有第一电极层；以及保护层覆盖部，被保护层覆盖。介电膜的保护层覆盖部的外周端处的厚度小于介电膜的电极层配置部的厚度。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：半导体基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；介电膜，配置于上述第一主面的一部分；第一电极层，配置于上述介电膜的一部分；以及保护层，从上述第一电极层的端部遍及上述介电膜的外周端连续地覆盖，上述介电膜具有电极层配置部和保护层覆盖部，上述电极层配置部配置有上述第一电极层，上述保护层覆盖部被上述保护层覆盖，上述介电膜的上述保护层覆盖部的上述外周端处的厚度小于上述介电膜的上述电极层配置部的厚度，上述第一电极层的上述端部具有第一端部和第二端部，上述第一端部具有外周端，上述第二端部与上述第一端部邻接并配置于上述第一电极层的中央部侧，上述第一端部的上述外周端处的厚度小于上述第二端部的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社村田制作所，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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