恭喜ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司J·纳斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司申请的专利光刻装置和照射均匀性校正系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113728277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080031372.4,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权光刻装置和照射均匀性校正系统是由J·纳斯;K·K·南卡拉;T·R·唐尼;J·H·莱昂斯;O·昂鲁希萨西克利;A·H·勒德贝特;N·S·阿蓬;T·甘设计研发完成,并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻装置和照射均匀性校正系统在说明书摘要公布了:一种用以调节光刻装置中的束的交叉狭槽照射的照射调节装置包括多个指状物来调节交叉狭槽照射以符合选定的强度分布。每个指状物具有包括至少两个段的远端边缘。两个段形成远端边缘的凹痕。
本发明授权光刻装置和照射均匀性校正系统在权利要求书中公布了:1.一种用以调节光刻装置中的束的交叉狭槽照射的照射调节装置,包括:多个指状物,被配置为调节所述交叉狭槽照射以符合选定的强度分布,其中每个指状物具有包括多个段的远端边缘,并且其中所述多个段形成所述远端边缘的多个凹痕,使得所述多个凹痕的一部分凹痕存在于所述交叉狭槽照射的中间附近,位于所述多个凹痕的任一侧上,以及其中所述远端边缘的至少部分与相应指状物处的所述交叉狭槽照射的形状的一部分对齐。
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