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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510059118.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由周成设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供衬底，在衬底内形成屏蔽栅引线沟槽和屏蔽栅沟槽，屏蔽栅引线沟槽的开口宽度小于屏蔽栅沟槽的开口宽度的二分之一；在衬底和沟槽内沉积屏蔽栅介质层；在屏蔽栅介质层上沉积第一栅极材料层，表面与衬底的表面齐平；在第一栅极材料层上形成保护层，保护层的表面与屏蔽栅介质层的表面齐平；两侧倾斜刻蚀去除屏蔽栅沟槽内的所述保护层；去除屏蔽栅沟槽内的部分第一栅极材料层，形成屏蔽栅极和引线栅极；在屏蔽栅极上形成表面平整的栅间介质层；在栅间介质层上形成控制栅极。通过本发明提供的半导体器件及其制作方法，能够提高半导体器件的性能，降低生产成本。

本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；在所述衬底内形成屏蔽栅引线沟槽和屏蔽栅沟槽，所述屏蔽栅引线沟槽的开口宽度小于所述屏蔽栅沟槽的开口宽度的二分之一；在所述衬底、所述屏蔽栅引线沟槽和所述屏蔽栅沟槽内沉积屏蔽栅介质层；在屏蔽栅介质层上沉积第一栅极材料层，所述第一栅极材料层的表面与所述衬底的表面齐平；在所述第一栅极材料层上形成保护层，所述保护层的表面与所述屏蔽栅介质层的表面齐平；从所述衬底两侧分别进行倾斜刻蚀去除所述屏蔽栅沟槽内的所述保护层；刻蚀去除所述屏蔽栅沟槽内的部分第一栅极材料层，形成屏蔽栅极和引线栅极；在所述屏蔽栅极上形成栅间介质层，所述栅间介质层的表面平整；以及在所述栅间介质层上形成控制栅极；其中，在所述衬底两侧进行的所述倾斜刻蚀的刻蚀角度α相等，一次所述倾斜刻蚀暴露所述屏蔽栅沟槽内的二分之一的所述第一栅极材料层，所述刻蚀角度α为刻蚀方向与所述衬底法线之间的夹角；所述刻蚀角度α小于预设角度β，所述预设角度β通过公式β=arctan（ab）获得，其中，a为所述屏蔽栅沟槽的开口宽度的二分之一与所述屏蔽栅沟槽侧壁上的所述屏蔽栅介质层厚度之间的差值，b为所述保护层在所述衬底上的厚度。

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