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龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510064752.2，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件及其制备方法是由周宁宁;汪金陵;张德培;王梦慧设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开LDMOS器件及其制备方法，该LDMOS器件包括：半导体层；位于半导体层中的体区和漂移区；位于体区中的源区；位于漂移区中的第一隔离结构和漏区，漏区和源区沿目标方向排列，第一隔离结构在漏区靠近源区的一侧；在半导体层表面的位于源区和漏区之间的栅结构；位于第一隔离结构表面的场板结构，场板结构包括覆盖第一隔离结构表面的场板介质层和位于场板介质层表面的场板电极层，场板电极层与栅结构连接；其中，场板电极层在第一隔离结构表面的沿目标方向的中心位置，且在目标方向上场板电极层的长度为第一隔离结构表面长度的12‑34。本申请能够使器件导通电阻和工艺成本不显著提高的情况下实现器件高耐压。

本发明授权LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，包括：第一掺杂类型的半导体层；位于所述半导体层中的体区和漂移区，所述体区具有第一掺杂类型，所述漂移区具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；位于所述体区中的第二掺杂类型的源区；位于所述漂移区中的第一隔离结构和第二掺杂类型的漏区，所述漏区和所述源区沿目标方向排列，所述第一隔离结构在所述漏区靠近所述源区的一侧；在所述半导体层表面的位于所述源区和所述漏区之间的栅结构；位于所述第一隔离结构表面的场板结构，所述场板结构包括覆盖所述第一隔离结构表面的场板介质层和位于所述场板介质层表面的场板电极层，所述场板电极层与所述栅结构连接；其中，所述场板电极层在所述第一隔离结构表面的沿所述目标方向的中心位置，且在所述目标方向上所述场板电极层的长度为所述第一隔离结构表面长度的12-34。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。