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龙图腾网恭喜浙江求是创芯半导体设备有限公司申请的专利离子源装置的外壳、离子源装置以及离子注入机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510033101.7，技术领域涉及：H01J37/08；该发明授权离子源装置的外壳、离子源装置以及离子注入机是由曹建伟;沈文杰;沈加富;龚思俊;余世政;李杰;汤承伟;彭建波设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子源装置的外壳、离子源装置以及离子注入机在说明书摘要公布了：本申请公开了一种离子源装置的外壳、离子源装置以及离子注入机，该外壳包括第一端和第二端，外壳开设有安装孔，外壳内设置有冷却通道，冷却通道包括第一路径、第二路径和第三路径，第一路径和第二路径沿外壳延伸方向延伸，第二路径和第一路径分别用于冷却液的输入和输出；第三路径的两端分别连通第一路径和第二路径，第三路径至少部分围绕安装孔设置；第三路径与第一端的端面沿外壳延伸方向的距离为管路伸入长度，外壳沿其延伸方向的长度为壳体长度，并设置管路伸入长度与壳体长度的比值范围。该离子源装置包括上述外壳、坩埚和弧室。该离子注入机包括上述离子源装置。通过上述设置，提高坩埚和弧室的使用寿命。

本发明授权离子源装置的外壳、离子源装置以及离子注入机在权利要求书中公布了：1.一种离子源装置100的外壳200，其特征在于，所述外壳200包括沿其延伸方向分布的第一端21和第二端22，所述外壳200开设有沿其延伸方向贯穿所述外壳200的安装孔23，所述外壳200内设置有内置冷却液的冷却通道25，所述冷却通道25包括：第一路径251，所述第一路径251沿所述外壳200延伸方向延伸；第二路径252，所述第二路径252沿所述外壳200延伸方向延伸，所述第二路径252的一端和所述第一路径251的一端均位于所述第一端21并分别用于冷却液的输入和输出；第三路径253，所述第三路径253的两端分别连通所述第一路径251的另一端和所述第二路径252的另一端，所述第三路径253至少部分围绕所述安装孔23设置；所述第三路径253与所述第一端21的端面沿所述外壳200延伸方向的距离为管路伸入长度，所述外壳200沿其延伸方向的长度为壳体长度，所述管路伸入长度与所述壳体长度的比值范围为0.4至0.55。

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