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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510022719.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤;张长沙设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成均流层、体区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成栅介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层和源极金属层，去除阻挡层，完成制备，可以有效提高器件的栅极可靠性和体二极管续流损耗和反向恢复速度。

本发明授权一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成均流层；步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成体区；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型阱区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向P型阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层，形成凹槽，淀积绝缘介质，形成绝缘介质层；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成栅介质层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；所述漂移层上设有凸起部，所述凸起部上设有凹槽，所述绝缘介质层设于所述凹槽内；所述均流层下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述均流层内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述体区下侧面连接至所述均流层上侧面；所述P型阱区下侧面连接至所述均流层上侧面；所述P型阱区与体区的总宽度大于均流层宽度；所述均流层以及体区均为N型。

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