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龙图腾网恭喜浙江工业大学申请的专利一种用于剪切增稠抛光的确定性抛光方法及抛光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119282830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411833567.7，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种用于剪切增稠抛光的确定性抛光方法及抛光装置是由赵军;仇贤纬;王文兵;毕书铭;罗宇辰;安德烈·胡多列伊设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于剪切增稠抛光的确定性抛光方法及抛光装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于剪切增稠抛光的确定性抛光方法及抛光装置，该方法部分包括：待加工表面的离散化，使用测量、插值方法以离散化的控制点坐标在计算机中表示待加工表面；抛光点可控材料去除矩阵计算策略，规划抛光点，对比待加工表面和目标表面，计算控制点位置的材料去除余量，计算各个抛光点的影响区域以及对控制点的影响，以相邻抛光点去除余量单点模型加权值为标准可控地合并抛光点，得到材料去除矩阵；迭代‑NNLS（非负最小二乘）联合驻留时间算法，对材料去除矩阵先使用迭代的方法计算抛光点的驻留时间，降低驻留时间求解结果的波动，再在此基础上使用NNLS（非负最小二乘）算法进一步提高结果的精度。

本发明授权一种用于剪切增稠抛光的确定性抛光方法及抛光装置在权利要求书中公布了：1.一种用于剪切增稠抛光的确定性抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：使用仪器测量待加工表面，得到离散化的待加工表面三维数据，以控制点表示；S2：规划抛光路径，在抛光路径上规划多个初始抛光点，计算各抛光点相对于对应控制点位置的材料去除量；S3；使用抛光点可控材料去除矩阵，计算策略规划组合抛光点，得到材料去除矩阵；S3.1：计算所有控制点相对于所有抛光点的位置；S3.2：将相对于某一抛光点位置的控制点带入公式1，得到该抛光点对所有控制点的材料去除影响因子MRRx,y，遍历所有抛光点，得到每个抛光点对所有控制点的材料去除影响因子MRRx,y， 其中，vsx,y和Px,y为抛光区域流体流速和压力，D为磨粒直径，r为磨粒半径，Hb为工件表面布氏硬度值，μd为磨粒体积比浓度，kl为抛光影响区域实际有效磨粒系数；S3.3：根据材料去除影响因子的有无得到每个抛光点的影响范围，使用公式2，计算每个抛光点影响区域所有控制点的加权去除余量，以表明每个抛光点的材料去除需求，每个抛光点对应一个加权去除余量； 其中，为抛光点Pj影响区域内每个控制点Mi需要的加权材料去除量的总和；m为控制点数量；i为第i个控制点；αi为第i个控制点的材料去除余量；Ej表示第j个抛光点的材料去除影响向量；eij表示单位时间下抛光点Pj对控制点Mi造成的材料去除深度；S3.4：计算相邻抛光点对应加权去除余量的差，并将差值由小到大进行排序，得到加权去除余量序列；S3.5：以路径顺序为分组行进的方向、加权去除余量序列值作为分组标准，加权去除余量序列的排列顺序作为分组标准的选择顺序，依次分组，分组的条件为，组内的抛光点加权去除余量最大值最小值的差不大于加权去除余量序列值或者组内的抛光点不大于设定的组内最大的抛光点数量，初步分组完毕后若组数大于设定组数，则选择下一个更大的加权去除余量序列值进行分组，直至达到分组要求，得到最终分组；S3.6：依据最终分组结果将各个组内抛光点对控制点的影响去除因子叠加，得到合并的材料去除影响矩阵；S4：使用迭代算法得到初步的抛光点的驻留时间，以迭代算法得到的驻留时间计算控制点剩余材料去除余量，使用非负最小二乘计算最终的抛光点的驻留时间。

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