扬州扬杰电子科技股份有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利提高器件长期使用可靠性的SiC器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222706894U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421476064.4，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型提高器件长期使用可靠性的SiC器件是由王正;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高器件长期使用可靠性的SiC器件在说明书摘要公布了：提高器件长期使用可靠性的SiC器件，涉及半导体技术领域。本实用新型在沟槽栅SiCMOSFET的沟槽底部采用淀积介质的方式形成一层较厚的氧化物，减小了器件栅漏电极之间的耦合面积，从而减小了器件的栅漏电容，提高开关性能，并且淀积的氧化物将沟槽栅氧底部拐角填充，避免了常规沟槽栅SiCMOSFET在此处栅氧化层易引起电场集中而发生击穿失效的现象，提高了器件的长期使用可靠性。
本实用新型提高器件长期使用可靠性的SiC器件在权利要求书中公布了：1.提高器件长期使用可靠性的SiC器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的N+Sub层（1）、N-Drift层（2）、欧姆接触合金层（11）和正面电极金属层（12）；所述N-Drift层（2）内设有：P-base区（3）；N+区（4），位于所述P-base区（3）的顶面；P+区（5），从所述N+区（4）的顶面向下延伸至P-base区（3）；沟槽区（6），位于所述N+区（4）的中部，并从所述N+区（4）的顶面向下延伸至P-base区（3）的下方；所述沟槽区（6）的槽底设有氧化层（7），所述沟槽区（6）的内设有分别与氧化层（7）、P-base区（3）和N+区（4）连接的栅氧化层（8），所述沟槽区（6）内通过多晶硅Poly层（9）填充，所述多晶硅Poly层（9）分别与氧化层（7）和栅氧化层（8）连接；所述氧化层（7）位于P-base区（3）的下方；所述正面电极金属层（12）和欧姆接触合金层（11）分别通过隔离介质层（10）与沟槽区（6）分隔；所述沟槽区隔离介质层（10）从沟槽的顶面向外延伸至N+区（4），并与所述欧姆接触合金层（11）侧面相接触。
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