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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种1,4-二噻烷及其衍生物修饰钙钛矿薄膜制备太阳能电池的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310151851.5，技术领域涉及：H10K30/88；该发明授权一种1,4-二噻烷及其衍生物修饰钙钛矿薄膜制备太阳能电池的方法是由于泽;迟翼设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种1,4-二噻烷及其衍生物修饰钙钛矿薄膜制备太阳能电池的方法在说明书摘要公布了：一种1,4‑二噻烷及其衍生物修饰钙钛矿薄膜制备太阳能电池的方法，其属于钙钛矿太阳能电池的技术领域。该方法引入一种有机物1,4‑二噻烷及其衍生物作为钙钛矿层修饰材料，通过将1,4‑二噻烷及其衍生物添入钙钛矿前驱液并将1,4‑二噻烷及其衍生物溶液旋涂在掺杂的钙钛矿吸光层上制备得到修饰的钙钛矿层。1,4‑二噻烷及其衍生物引入到钙钛矿层上后能够有效的钝化铅位点缺陷，限制电荷传输过程中的非辐射复合，同时利用1,4‑二噻烷及其衍生物的疏水性稳定钙钛矿相。本方法能够有效的减少钙钛矿缺陷造成的电池效率损失，得到稳定高效的钙钛矿太阳能电池。

本发明授权一种1,4-二噻烷及其衍生物修饰钙钛矿薄膜制备太阳能电池的方法在权利要求书中公布了：1.一种1,4-二噻烷及其衍生物修饰钙钛矿层的方法，其特征在于：所述钙钛矿层为钙钛矿太阳能电池的一层，钙钛矿层为CsxFA,MA1−xPbI3−yBry或全无机钙钛矿CsPbIzBr3-z中的一种，其中FA为CHNH22+，MA为CH3NH3+，0≤x＜0.1，0≤y＜0.6，0≤z≤3；该方法采用1,4-二噻烷修饰物钝化钙钛矿表面及体相的铅位点缺陷，在钙钛矿表面及晶界形成钝化，得到表面及体相修饰的钙钛矿层：该方法的具体步骤为：（1）将1,4-二噻烷修饰物加入到钙钛矿前驱液中，将前驱液旋涂退火形成掺杂的钙钛矿层；1,4-二噻烷修饰物与钙钛矿前驱液的比例为（0.1-10）mg：1mL；所述1,4-二噻烷修饰物的结构式为： ；（2）将1,4-二噻烷修饰物溶液旋涂于掺杂的钙钛矿层上，旋涂工艺为4000rpm，旋涂时间为20s，即得到修饰的钙钛矿层；所述1,4-二噻烷修饰物溶液浓度为1-5mgmL-1，溶液采用的溶剂为异丙醇、乙醇或乙酸乙酯；所述钙钛矿层为CsxFA,MA1−xPbI3−yBry时，其前驱液中碘化铅：甲脒基碘化胺：溴化铅：甲基溴化胺：碘化铯的摩尔比为1-1.5:1-1.5:0-0.5:0-0.5:0-0.1；所述钙钛矿层为CsPbIzBr3-z时，其前驱液中碘化铅：溴化铅：碘化铯：溴化铯的摩尔比为0-3:0-3:0-3:0-3，且碘化铅与溴化铅的比例不能同时为零，碘化铯与溴化铯的比例不能同时为零。

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