恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林孟汉获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路和用于形成集成电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010897164.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权集成电路和用于形成集成电路的方法是由林孟汉;谢智仁设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路和用于形成集成电路的方法在说明书摘要公布了：一种集成电路和用于形成集成电路的方法，集成电路装置包括具有记忆体区域和逻辑区域的半导体基板。在记忆体区域中的记忆体单元包括选择栅极，选择栅极经由浮动栅极间隔物与浮动栅极分隔。在与浮动栅极相对的选择栅极的一侧上形成选择栅极间隔物。选择栅极间隔物在大部分的选择栅极上方具有均匀的厚度。形成选择栅极间隔物的第一层可能经由氧化选择栅极电极。形成选择栅极间隔物的第二层可能经由原子层沉积。当间隔物形成在逻辑区域中相邻于逻辑栅极时，记忆体区域可能以保护层覆盖。
本发明授权集成电路和用于形成集成电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包含：一半导体基板，其包含一记忆体区域和一逻辑区域；多个快闪记忆体单元，在该记忆体区域内，该些快闪记忆体单元中的各者包含一浮动栅极、一控制栅极、和一选择栅极，该些选择栅极中的各者包含一选择栅极电极、一选择栅极介电质其相邻于在该选择栅极电极下方的该半导体基板，和一选择栅极间隔物其在相对于该浮动栅极的该选择栅极电极的一侧上；以及多个逻辑栅极，其在该逻辑区域中，该些逻辑栅极中的各者包含一逻辑栅极电极、和逻辑栅极间隔物其在该逻辑栅极电极的任一侧上；其中该选择栅极间隔物的一组成分不同于该些逻辑栅极间隔物的一组成分；其中，与该选择栅极介电质的远离该选择栅极间隔物的一侧相比，该选择栅极介电质在与该选择栅极间隔物的相邻的一侧上较厚。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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