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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118519182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410590150.6，技术领域涉及：G01T1/17；该发明授权基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路是由姜潮;邱添;王中华;胡德安设计研发完成，并于2024-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路，利用核辐射环境NMOS晶体管漏电流增大和PMOS晶体管受辐射损伤小的特性，构建差分放大电路对NMOS的辐射漏电流进行处理，输出的电压信号可以有效表征辐射环境下电离辐射的总剂量水平。将电压信号通过由FPGA主控芯片控制的AD采样芯片进行采样并由主控输出辐照总剂量信息，同时电压信号通过本发明设计的PMOS补偿电路直接对电源电流和运放输入进行补偿。与现有技术相比，具有结构简单、可靠性高、功耗低和成本低等优势，且不需要对电路进行外部的抗辐射加固。

本发明授权基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路，其特征在于，所述基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路包括PMOS偏置电路、NMOS辐射感应电路、差分放大电路、AD采样电路和FPGA主控电路；所述差分放大电路包括第一运算放大器，用于放大辐射损伤导致降低的电压值；所述PMOS偏置电路包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，第一PMOS晶体管的漏极和栅极分别连接高电压和低电压，第二PMOS源极连接第一运算放大器的负输入端；所述NMOS辐射感应电路包括NMOS管，NMOS管源极连接第一运算放大器的正输入端，NMOS管设置在核辐射环境中，用于获取受到的辐射损伤的电压值；所述AD采样电路连接所述差分放大电路，将差分放大的电压值采样后传输到所述FPGA主控电路，计算转化后得到对应的辐射总剂量数值；所述基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路包括电源电路、自适应补偿电路和运放电路，所述自适应补偿电路包括自适应电流补偿电路和自适应电压补偿电路；所述电源电路包括LDO线性稳压器；所述LDO线性稳压器是光电编码器主要的电源芯片，输入端输入滤波后的外部电源，输出端可以输出稳定的电源信号；所述自适应电流补偿电路包括第五PMOS晶体管；所述第五PMOS晶体管连接差分放大电路获取放大的电压值，同时连接LDO线性稳压器输出端，输出补偿电流；所述自适应电压补偿电路包括第四PMOS晶体管，运放电路包括第二运算放大器；所述第四PMOS晶体管连接差分放大电路获取放大的电压值并输入第二运算放大器正输入端；第二运算放大器将光电编码器的微弱光电流放大处理，在辐射环境下增益降低，通过补偿电流与光电二极管产生的光电流整合，第二运算放大器辐射增益降低与正输入电压提升值抵消，实现对运放增益的补偿效果。

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