上海合利微半导体有限责任公司马勇获国家专利权
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龙图腾网获悉上海合利微半导体有限责任公司申请的专利一种高线性度低功耗控制电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222721476U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420955792.7，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种高线性度低功耗控制电路是由马勇;郑广伟设计研发完成，并于2024-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高线性度低功耗控制电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及低功耗控制电路技术领域，具体公开一种高线性度低功耗控制电路，包括：PMOS控制电路，包括多个并联PMOS通路，每个PMOS通路包括工作PMOS管，部分或全部PMOS通路还包括串联开关和并联开关，部分或全部PMOS通路的工作PMOS管与串联开关、并联开关形成串并联结构；NMOS控制电路，包括多个并联NMOS通路，每个NMOS通路包括工作NMOS管，部分或全部NMOS通路还包括串联开关和并联开关，部分或全部工作NMOS管与串联开关、并联开关形成串并联结构。本实用新型通过将工作PMOS管、工作NMOS管与开关形成的串并联结构，实现了低功耗配置，提升了电路的线性度性能。
本实用新型一种高线性度低功耗控制电路在权利要求书中公布了：1.一种高线性度低功耗控制电路，其特征在于，包括：PMOS控制电路，包括多个PMOS通路，各个PMOS通路并联在一起，每个PMOS通路包括工作PMOS管，部分或全部PMOS通路还包括串联开关和并联开关，包括串联开关和并联开关的PMOS通路的工作PMOS管与串联开关连接成串联结构，且其源漏极与并联开关两端并联形成并联结构；NMOS控制电路，包括多个NMOS通路，各个NMOS通路并联在一起，每个NMOS通路包括工作NMOS管，部分或全部NMOS通路还包括串联开关和并联开关，包括串联开关和并联开关的NMOS通路的工作NMOS管与串联开关连接成串联结构，且其源漏极与并联开关两端并联形成并联结构。
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