恭喜台湾积体电路制造股份有限公司高韵峯获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利反相器电路和半导体电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222721870U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420802765.6，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型反相器电路和半导体电路是由高韵峯;姜慧如设计研发完成，并于2024-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本反相器电路和半导体电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种实施例的反相器电路和半导体电路。反相器电路包括：栅极电极、栅介电层、第二导电型半导体层、第一源极电极、第二源极电极以及共享漏极电极。栅极电极形成于层间介电层之上。栅介电层形成于栅极电极之上。第一导电型半导体层形成于栅介电层之上。第二导电型半导体层形成于栅介电层之上，且相对于第一导电型半导体层在侧向上偏移。第一源极电极，形成为与第一导电型半导体层接触。第二源极电极形成为与第二导电型半导体层接触。共享漏极电极形成为与第一导电型半导体层及第二导电型半导体层接触。
本实用新型反相器电路和半导体电路在权利要求书中公布了：1.一种反相器电路，其特征在于，包括：栅极电极，形成于层间介电层之上；栅介电层，形成于所述栅极电极之上；第一导电型半导体层，形成于所述栅介电层之上；第二导电型半导体层，形成于所述栅介电层之上，相对于所述第一导电型半导体层在侧向上偏移并与所述第一导电型半导体层隔离；第一源极电极，形成为与所述第一导电型半导体层接触；第二源极电极，形成为与所述第二导电型半导体层接触；以及共享漏极电极，形成为与所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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