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当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 恭喜美新半导体(绍兴)有限公司;美新半导体(天津)有限公司苏云鹏获国家专利权

恭喜美新半导体(绍兴)有限公司;美新半导体(天津)有限公司苏云鹏获国家专利权

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龙图腾网恭喜美新半导体(绍兴)有限公司;美新半导体(天津)有限公司申请的专利一种MEMS传感器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222715103U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202420611796.3,技术领域涉及:B81B7/00;该实用新型一种MEMS传感器是由苏云鹏;姜萍;金羊华;储莉玲设计研发完成,并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种MEMS传感器在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种MEMS传感器,其包括:衬底层;MEMS层,其位于所述衬底层的一侧表面,所述MEMS层中形成有MEMS传感器结构;盖帽层,其位于所述MEMS层远离所述衬底层的一侧表面;底部阻挡块,其位于所述MEMS层邻近所述衬底层的一侧表面,所述底部阻挡块与所述衬底层相互间隔,以对所述MEMS传感器结构中的可活动部件的运动进行限位。与现有技术相比,本实用新型在MEMS层上设置阻挡块,以替代氧化物阻挡块,从而在限制MEMS层中的可活动部件位移的同时避免产生静电力。

本实用新型一种MEMS传感器在权利要求书中公布了:1.一种MEMS传感器,其特征在于,其包括:衬底层;MEMS层,其位于所述衬底层的一侧表面,所述MEMS层中形成有MEMS传感器结构;盖帽层,其位于所述MEMS层远离所述衬底层的一侧表面;底部阻挡块,其位于所述MEMS层邻近所述衬底层的一侧表面,所述底部阻挡块与所述衬底层相互间隔,以对所述MEMS传感器结构中的可活动部件的运动进行限位。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人美新半导体(绍兴)有限公司;美新半导体(天津)有限公司,其通讯地址为:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号1幢3楼305室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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