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龙图腾网恭喜华天科技(昆山)电子有限公司申请的专利一种降低翘曲的晶圆级封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116581036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310652791.5，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种降低翘曲的晶圆级封装方法及封装结构是由刘轶;马书英;王姣;周琼设计研发完成，并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低翘曲的晶圆级封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低翘曲的晶圆级封装方法及封装结构，包括以下步骤：对晶圆进行重布线路，将切割道位置的硅刻蚀槽打开，将功能层切开，再在切割道位置包裹上阻焊层；随后，只对阻焊层进行预固化，针对阻焊剂的光刻分辨率高低情况同时或按照先后顺序打开阻焊层上用于长锡球的开口及用于降低翘曲的开口，再进行阻焊层的最终固化；最后，长锡球，再将晶圆切割成单颗芯片。本发明提供的降低翘曲的晶圆级封装方法及封装结构，解决了晶圆内部隐裂及分层导致失效的问题，降低了翘曲太大无法完成后制程的情况，同时解决了后面锡球制程的真空吸附超标、锡球掉球、锡球偏移及渗锡风险。

本发明授权一种降低翘曲的晶圆级封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种降低翘曲的晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：对晶圆进行重布线路，将切割道位置的硅刻蚀槽打开，将功能层切开，再在切割道位置包裹上阻焊层；随后，只对阻焊层进行预固化，针对阻焊剂的光刻分辨率高低情况同时或按照先后顺序打开阻焊层上用于长锡球的开口及用于降低翘曲的开口，再进行阻焊层的最终固化；最后，长锡球，再将晶圆切割成单颗芯片；针对阻焊剂的光刻分辨率比较高的情况，通过光刻曝光和显影同时打开阻焊层上用于长锡球的开口Ⅰ及用于降低翘曲的开口Ⅱ但是留包边，所述开口Ⅱ为相邻晶圆之间的开口，所述阻焊层的最终固化是在烤箱中进行的，固化温度控制在120-200℃，固化时间控制在2-5h；针对阻焊剂的光刻分辨率不高的情况，则先通过光刻曝光和显影打开用于长锡球的开口Ⅰ，再使用刀片或者激光打开用于降低翘曲的开口Ⅱ但是留包边，所述开口Ⅱ为相邻晶圆之间的开口。

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