恭喜厦门市三安集成电路有限公司何先良获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210338723.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法是由何先良;魏鸿基;王浩设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法，是在HEMT外延结构上形成ESD外延结构，其中ESD外延结构顶部具有附加层，通过蚀刻和隔离形成HEMT器件区域和ESD器件区域后，同步沉积金属于HEMT区域制作源极金属、漏极金属，于ESD区域制作第一电极；然后同步蚀刻附加层和HEMT外延结构的帽层形成开口，同步沉积金属于附加层的开口制作第二电极，于帽层的开口制作栅极金属。本发明减少了需要光刻制程的电极制作工序，降低产能占用，缩短生产周期。
本发明授权一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成静电防护的HEMT结构的制作方法，其特征在于，包括：1）提供或通过外延工艺形成HEMT外延结构和位于HEMT外延结构之上的ESD外延结构，所述HEMT外延结构的顶部包括帽层，所述ESD外延结构由下至上包括第一材料层、第二材料层和附加层，第一材料层和第二材料层形成PN结；2）采用光刻技术蚀刻附加层和第二材料层；3）采用光刻技术蚀刻第一材料层，形成台面；4）通过器件隔离隔开HEMT区域和ESD区域；5）同步沉积金属于HEMT区域的帽层之上制作源极金属、漏极金属，于第一材料层的台面上制作第一电极；6）采用光刻技术，同步蚀刻附加层和帽层形成开口，同步沉积金属于第二材料层的开口制作第二电极，于帽层的开口制作栅极金属。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门市三安集成电路有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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