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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高键合质量的红光二极管芯片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210305054.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权提高键合质量的红光二极管芯片制备方法是由兰叶;王江波;朱广敏;吴志浩设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高键合质量的红光二极管芯片制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了提高键合质量的红光二极管芯片制备方法，属于红光二极管制作领域。在第一氮化硅子层上旋涂液态绝缘玻璃溶液，再在110度～120度的条件下固化液态绝缘玻璃溶液至半固态。液态绝缘玻璃溶液在低温下进行固化，可以保证液态绝缘玻璃溶液在固化过程中释放应力，减小外延材料内部应力对键合层的拉扯与损坏，提高键合质量与发光效率。在第二温度的条件下固化液态绝缘玻璃溶液至固态以得到绝缘玻璃子层，第二温度较150度高100度～150度。最后在绝缘玻璃子层上沉积第二氮化硅子层，可以提高钝化层的密封性，并可以避免使用过程中键合界面的分离。

本发明授权提高键合质量的红光二极管芯片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高键合质量的红光二极管芯片制备方法，其特征在于，所述提高键合质量的红光二极管芯片制备方法包括：提供一GaAs衬底与一蓝宝石衬底；在所述GaAs衬底上依次生长n型层、发光层及p型层；将所述p型层键合至所述蓝宝石衬底；在所述n型层上形成延伸至所述p型层的表面的凹槽；在所述n型层的表面与所述p型层被所述凹槽暴露的表面形成钝化层；分别形成连接至所述n型层的表面的n电极与连接至所述p型层的p电极；所述形成钝化层，包括：在所述n型层的表面与所述p型层被所述凹槽暴露的表面沉积第一氮化硅子层；在所述第一氮化硅子层上旋涂液态绝缘玻璃溶液；在110度～120度的条件下固化所述液态绝缘玻璃溶液至半固态；在第二温度的条件下固化所述液态绝缘玻璃溶液至固态以得到绝缘玻璃子层，所述第二温度较150度高100度～150度，在110度～120度的条件下固化所述液态绝缘玻璃溶液至半固态的时长与在第二温度的条件下固化所述液态绝缘玻璃溶液至固态的时长之比为24～30；在所述绝缘玻璃子层上沉积第二氮化硅子层。

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