恭喜爱思开海力士有限公司崔康植获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111160644.3，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体存储器装置及其制造方法是由崔康植设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本文提供一种半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括：堆叠体，该堆叠体包括交替堆叠的导电图案和层间绝缘层；穿过堆叠体的下部沟道部分；设置在堆叠体和下部沟道部分之间的存储器层；设置在下部沟道部分上的上部沟道部分；围绕上部沟道部分的侧壁的栅极绝缘层；围绕栅极绝缘层的侧壁的第一栅极图案；接触第一栅极图案的第一部分的分离绝缘图案；以及接触第一栅极图案的第二部分的第二栅极图案。
本发明授权半导体存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：形成堆叠体；形成穿过所述堆叠体的沟道孔；在所述沟道孔的侧壁上形成存储器层；在所述沟道孔中形成下部沟道部分；在所述下部沟道部分上形成上部沟道部分；形成围绕所述上部沟道部分的侧壁的栅极绝缘层；形成围绕所述栅极绝缘层的侧壁的第一栅极图案；形成与所述第一栅极图案的第一侧壁接触的分离绝缘图案；以及形成与所述第一栅极图案的第二侧壁接触的第二栅极图案。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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