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龙图腾网恭喜成都市硅海武林科技有限公司申请的专利一种隔离式接口的集成电路及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113506793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110800074.3，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权一种隔离式接口的集成电路及其封装方法是由文守甫;罗和平;王佐;高雨竹;袁思彤设计研发完成，并于2021-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种隔离式接口的集成电路及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种隔离式的接口集成电路及方法，属于集成电路技术领域。包括设置于第一基岛上的数字通道原端芯片DIE1以及电源通道原端芯片DIE5，设置于第二基岛上的数字通道隔离器件芯片DIE2、数字通道副端芯片DIE3和总线接口芯片DIE4以及设置于第三基岛上的电源通道隔离器件芯片DIE6和电源通道副端芯片DIE7；所述第一基岛、第二基岛以及第三基岛之间相互隔离。本发明提供了一种工艺简单、低成本的多DIE集成隔离式接口的封装方法，本发明把隔离式DC‑DC电源与隔离式接口芯片集成在一起，使得芯片仅需在原端供电，无需在副端提供额外电源，采用本发明的方案芯片加工工艺方面实现简单，成本低。

本发明授权一种隔离式接口的集成电路及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种隔离式的接口集成电路，其特征在于，包括设置于第一基岛上的数字通道原端芯片DIE1以及电源通道原端芯片DIE5，设置于第二基岛上的数字通道隔离器件芯片DIE2、数字通道副端芯片DIE3和总线接口芯片DIE4以及设置于第三基岛上的电源通道隔离器件芯片DIE6和电源通道副端芯片DIE7；所述第一基岛、第二基岛以及第三基岛之间相互隔离；所述数字通道原端芯片DIE1和数字通道隔离器件芯片DIE2之间形成电路连接；所述数字通道隔离器件芯片DIE2和数字通道副端芯片DIE3之间形成电路连接；所述数字通道副端芯片DIE3和总线接口芯片DIE4之间形成电路连接；所述电源通道原端芯片DIE5和电源通道隔离器件芯片DIE6之间形成电路连接；所述电源通道隔离器件芯片DIE6和电源通道副端芯片DIE7之间形成电路连接。

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