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龙图腾网恭喜SPTS科技有限公司申请的专利等离子蚀刻的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011240861.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子蚀刻的方法和设备是由H·阿什拉夫;K·里德尔;C·普拉霍韦亚努设计研发完成，并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子蚀刻的方法和设备在说明书摘要公布了：本申请涉及等离子蚀刻的方法和设备。对包括衬底和形成非挥发性金属蚀刻产物的组件的结构进行等离子蚀刻的方法包括以下步骤：提供包括衬底和形成非挥发性金属蚀刻产物的组件的结构；将所述结构定位在具有包括一或多个气体入口的第一气体入口布置和包括一或多个气体入口的第二气体入口布置的腔室内的支撑件上；通过使用第一蚀刻工艺气体混合物执行第一等离子蚀刻步骤来对所述结构进行蚀刻，所述第一蚀刻工艺气体混合物仅通过所述第一气体入口布置引入到所述腔室中；以及通过使用第二蚀刻工艺气体混合物执行第二等离子蚀刻步骤来进一步对所述结构进行蚀刻，所述第二蚀刻工艺气体混合物仅通过所述第二气体入口布置引入到所述腔室中。

本发明授权等离子蚀刻的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种对包括衬底和形成非挥发性金属蚀刻产物的组件的结构进行等离子蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括衬底和形成非挥发性金属蚀刻产物的组件的结构；将所述结构定位在具有包括一或多个气体入口的第一气体入口布置和包括一或多个气体入口的第二气体入口布置的腔室内的支撑件上，其中所述第一气体入口布置的所述气体入口径向位于所述第二气体入口布置的所述气体入口的内侧；通过使用第一蚀刻工艺气体混合物执行第一等离子蚀刻步骤来对所述组件进行蚀刻，所述第一蚀刻工艺气体混合物仅通过所述第一气体入口布置供应到所述腔室；以及通过使用第二蚀刻工艺气体混合物执行第二等离子蚀刻步骤来进一步对所述组件进行蚀刻，所述第二蚀刻工艺气体混合物仅通过所述第二气体入口布置供应到所述腔室，其中所述腔室进一步包括等离子产生装置，所述等离子产生装置将所述第一气体入口布置的所述气体入口与所述第二气体入口布置的所述气体入口分开，所述等离子产生装置包括环形外壳和安置于所述环形外壳内的等离子生成元件，其中所述第一气体入口布置的所述气体入口径向位于所述环形外壳的内侧，并且所述第二气体入口布置的所述气体入口径向位于所述环形外壳的外侧。

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