恭喜三星电子株式会社皮雄焕获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利磁存储器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112599657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011037720.7,技术领域涉及:H10N50/10;该发明授权磁存储器件是由皮雄焕;李同规设计研发完成,并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器件在说明书摘要公布了:一种磁存储器件包括:在第一方向上延伸的导电线;在导电线上在与第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线,磁性线与导电线交叉;以及设置在导电线和磁性线之间的磁性图案。磁性图案具有在第一方向上彼此相反的第一侧壁和在第二方向上彼此相反的第二侧壁。磁性图案的第二侧壁分别与导电线的彼此相反的侧壁对准。
本发明授权磁存储器件在权利要求书中公布了:1.一种磁存储器件,包括:在第一方向上延伸的导电线;在所述导电线上在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线,所述磁性线与所述导电线交叉;在所述导电线和所述磁性线之间的磁性图案;以及在所述导电线和所述磁性图案上的第一层间绝缘层,其中,所述第一层间绝缘层覆盖所述导电线的侧表面和所述磁性图案的侧表面,所述磁性线在所述第一层间绝缘层的顶表面上方延伸,其中,所述磁性图案包括在所述第一方向上彼此相反的第一侧壁和在所述第二方向上彼此相反的第二侧壁,以及其中,所述磁性图案的所述第二侧壁分别与所述导电线的彼此相反的侧壁对准。
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