恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄詠胜获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011023938.7，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权记忆体元件及其制造方法是由黄詠胜;刘铭棋;谢智仁设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种记忆体元件及其制造方法，记忆体元件包含擦除栅极、擦除栅极介电质、第一和第二浮栅极、第一和第二控制栅极、第一选择栅极、第二选择栅极、共用源极条，以及硅化物垫。擦除栅极位于基板的第一部分上方。第一选择栅极沿着第一方向至少部分通过第一控制栅极与擦除栅极隔开。第二选择栅极沿着第一方向至少部分通过第二控制栅极与擦除栅极隔开。共用源极条位于基板的第二部分上，其中共用源极条与擦除栅极沿着垂直第一方向的第二方向上排列。硅化物垫位于共用源极条下方且位于基板的第二部分内，其中硅化物垫的上表面平坦于擦除栅极介电质的下表面。
本发明授权记忆体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种记忆体元件，其特征在于，包含:一擦除栅极，位于一基板的一第一部分上方；一擦除栅极介电质，位于该擦除栅极和该基板的该第一部分之间；第一和第二浮栅极，位于该擦除栅极的相对两侧；第一和第二控制栅极，分别位于该些第一和第二浮栅极上方；第一选择栅极，沿着一第一方向至少部分通过该第一控制栅极与该擦除栅极隔开；第二选择栅极，沿着该第一方向至少部分通过该第二控制栅极与该擦除栅极隔开；一共用源极条，位于该基板的一第二部分上，其中该共用源极条与该擦除栅极沿着垂直该第一方向的一第二方向上排列；以及一硅化物垫，位于该共用源极条下方且位于该基板的该第二部分内，其中该硅化物垫的一上表面平坦于该擦除栅极介电质的一下表面，且在沿着该第二方向的剖面中，该硅化物垫与该擦除栅极介电质的一侧壁接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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