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恭喜奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司T·里斯温克尔获国家专利权

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龙图腾网恭喜奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请的专利防腐蚀的器件和制造防腐蚀的器件的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114175283B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080056022.3,技术领域涉及:H10H20/841;该发明授权防腐蚀的器件和制造防腐蚀的器件的方法是由T·里斯温克尔设计研发完成,并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

防腐蚀的器件和制造防腐蚀的器件的方法在说明书摘要公布了:说明了一种光电子器件(100),具有载体(1)和布置在所述载体上的半导体芯片(2),其中所述载体具有安装面(1M),所述安装面(1M)设置有反射涂层(4)。防腐蚀层(7)形成在所述半导体芯片上,并且所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反射涂层与所述防腐蚀层之间。所述反射涂层设置有阻挡层(5),所述阻挡层(5)在垂直方向上局部地布置在所述半导体芯片与所述反射涂层之间。所述阻挡层由无机材料形成并且用作所述反射涂层的附加防腐蚀层。尤其是所述阻挡层(5)的垂直层厚度在1nm和100nm之间,包括端值。此外,所述防腐蚀层(7)的垂直层厚度在10nm和5000nm之间,包括端值。此外说明了一种用于制造器件的方法,尤其是用于制造这种器件的方法。

本发明授权防腐蚀的器件和制造防腐蚀的器件的方法在权利要求书中公布了:1.一种光电子器件100,具有载体1和布置在所述载体上的半导体芯片2,其中-所述载体具有安装面1M,所述安装面1M设置有反射涂层4,-防腐蚀层7形成在所述半导体芯片上,并且所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反射涂层与所述防腐蚀层之间,-所述反射涂层设置有阻挡层5,所述阻挡层5在垂直方向上局部地布置在所述半导体芯片与所述反射涂层之间,-所述阻挡层由无机材料形成并且用作所述反射涂层的附加防腐蚀层,-所述反射涂层完全由所述阻挡层覆盖或者除了电接触点之外完全由所述阻挡层覆盖。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,其通讯地址为:德国雷根斯堡;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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