恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张丰愿获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利堆叠元件、记忆体晶粒、记忆体元件及定址方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911166129.9，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权堆叠元件、记忆体晶粒、记忆体元件及定址方法是由张丰愿;刘钦洲;钱清河;黄博祥;曾嘉辉设计研发完成，并于2019-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠元件、记忆体晶粒、记忆体元件及定址方法在说明书摘要公布了：提供一种堆叠元件及用于元件的布局设计方法，该元件包括两个或两个以上相同结构。每一元件可具有第一晶粒、堆叠在该第一晶粒上的第二晶粒，及堆叠在该第二晶粒上的第三晶粒。第二晶粒可包括第一穿透硅通孔TSV及第一电路，且第三晶粒包括第二TSV及第二电路。第一TSV及第二TSV可线性共同延伸。第一及第二电路可各自为逻辑电路，该逻辑电路具有用于产生晶粒识别符的比较器及计数器。相应元件晶粒的计数器可在晶粒之间串列连接。每一晶粒可使用相同遮罩制造，但保留唯一的逻辑识别符。晶粒堆叠中的给定晶粒可因此通过相同晶粒布局中的单个路径定址。
本发明授权堆叠元件、记忆体晶粒、记忆体元件及定址方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠元件，其特征在于，包含：一第一晶粒；一第二晶粒，堆叠在该第一晶粒上，其中该第二晶粒包含：一第一穿透硅通孔TSV，包含一第一输入端口及一第一输出端口；一定址TSV，包含一第二输入端口；一第二输出端口；以及一第一电路，包含一第一记忆体以及一第一计数器用以指派一第一二元地址至该第一记忆体，其中该第一输入端口用以接收一第一输入值，其中该第二输入端口用以接收一第二输入值作为该第一二元地址，以及其中该第一电路用以将该第一输入值与该第二输入值相比较；以及一第三晶粒，堆叠在该第二晶粒上，其中该第三晶粒包含：一第二TSV；以及一第二电路，包含一第二记忆体以及一第二计数器用以指派一第二二元地址至该第二记忆体，其中该第一TSV及该第二TSV线性共同延伸。
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