恭喜华为技术有限公司朴善钦获国家专利权
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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利集成电路器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112074930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880092717.X，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权集成电路器件及其制备方法是由朴善钦;马小龙;刘燕翔;汪大祥;陈赞锋;夏禹;陈华彬;周永杰设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种集成电路器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，通过简单的工艺便可形成对相邻两个晶体管漏电流通路抑制的隔离段。该集成电路器件，包括：衬底以及凸出于所述衬底上的鳍片，所述集成电路器件还包括两个相邻的晶体管，所述两个相邻的晶体管将所述鳍片上间隔的两段部分作为各自的沟道；其中，所述鳍片的位于所述间隔的两段部分之间的一部分被加工得到隔离段，所述隔离段用于抑制所述两个相邻的晶体管的两个沟道间的电流传递。
本发明授权集成电路器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：衬底以及凸出于所述衬底上的鳍片，所述集成电路器件还包括两个相邻的晶体管，所述两个相邻的晶体管将所述鳍片上间隔的两段部分作为各自的沟道；其中，所述鳍片的位于所述间隔的两段部分之间的一部分被加工得到隔离段，所述隔离段用于抑制所述两个相邻的晶体管的两个沟道间的电流传递；所述鳍片包括第一半导体层，所述隔离段是对所述鳍片的位于所述间隔的两段部分之间的所述第一半导体层进行惰性原子掺杂，使得所述第一半导体层的一部分绝缘化得到的；其中，所述惰性原子在所述鳍片的硅晶格中不会发生电离。
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